※김현재 교수 연구팀이 산화물 박막 트랜지스터를 위한 모든 공정을 스퍼터만 이용하여 150oC 저온에서 제작한 연구가 세계적인 과학 저널 ‘Journal of Materials Chemistry C’에 게재되었다. 본 연구에서 사용된 SUT 기술은 UV와 열처리를 동시에 진행함으로써, 산화물 반도체 박막의 막질을 효과적으로 향상시키며, 공정 온도를 획기적으로 낮출 수 있어 차세대 공정으로 응용 가치가 매우 높을 것으로 예상된다.   

※본 연구는 연세대학교 전기전자공학부 김현재 교수(교신저자)가 지도하고, 석박통합과정 탁영준 학생(제1저자)이 주도하였다.

※ Prof. Hyun Jae Kim’s research team reported all-sputtered oxide thin-film transistors fabricated at 150oC using SUT treatment on Journal of Materials Chemistry C. The SUT treatment used in this study can effectively improve oxide film’s quality and reduce fabrication temperature. Furthermore, since SUT treatment is simpler than other treatments and easily applied in large-area substrate, it is expected to use next-generation treatments for oxide thin-film transistors.

※ This research was guided by Prof. Hyun Jae Kim (contact author) and led by graduate student Young Jun Tak (first author).