김현재 교수 연구팀이 “Direct Channel Implantation of B and BF2 Ions for Functional Control of Oxygen Vacancies in Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors” 논문을 재료 분야의 대표적인 국제학술지인  Advanced Functional Materials (JCR 상위 4.2%, IF: 19.9)에 게재하였다. (2026.07.03. Accepted)

본 논문은 김범수 연구원, 안종빈 박사 (공동 1저자)가 주도하고 김현재 교수 (교신저자)가 지도하였으며, 산화물 반도체 트랜지스터의 채널 영역에 B와 BF2 이온을 직접 주입하여 채널 내 oxygen-related defect을 상반되게 제어하는 방법을 개발하여 차세대 산화물 반도체 백플레인 분야로의 응용 가능성을 제시하였다