김현재 교수 연구팀의 황용선, 손혜진 연구원(공동 1저자)가 “Scaling Challenges and Engineering Approaches for Oxide Semiconductor FETs Toward Display and Memory Systems” 논문을 나노과학 및 나노기술 분야의 세계적인 저명 학술지인 'Nanoscale' (Impact Factor: 5.2) 에 게재하였다. (2026.06.16. Accepted)

연구팀은 차세대 디스플레이 및 메모리 시스템 구현을 위한 산화물 반도체 FET의 channel scaling 과제를 집대성하였다. 미세화 과정에서 발생하는 defect 형성 및 소자 열화 메커니즘을 체계적으로 분석하였으며, 이를 극복하기 위한 다차원 구조 및 engineering 접근법을 제시함으로써 차세대 산화물 전자공학의 기술적 발전 방향을 확립하였다.