정성욱 교수 연구팀이 “Dual-Mode Inverter-Based Write Termination Scheme for Energy- and Area-Efficient Write Operation in 28-nm 1T1MTJ STT-MRAM” 논문을 회로 설계 분야 세계 최고 학술지인 IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) (Impact Factor 5.6)에 게재하였다.

본 논문에서 제안하는 WT Circuit은 같은 회로로 STT-MRAM 의 Write Operation 과정 중 낭비되는 전력 소모를 개선하였으며 제안된 WT Circuit이 SA로도 동작할 수 있게 하여 면적도 개선하였다.

본 연구는 연세대학교 전기전자공학과 석사 임도윤(제1저자), 정성욱 교수(교신저자)가 주도하였다.