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제목
조건희 연구원(정성욱 교수 연구팀), 고밀도 SRAM 설계 기술 IEEE Journal of Solid-State Circuits 논문 게재
작성일
2022.01.04
작성자
전기전자공학부
게시글 내용


정성욱 교수 연구팀이 개발한 고밀도 SRAM 설계 기술이 회로 및 시스템 분야의 최고 권위 논문지인 IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC)에 논문 게재 승인되었다.
본 논문에서 제안하는 SRAM 보조 셀은 비트 셀 어레이에 삽입되어 고저항으로 인한 수율 및 성능 저하 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 이를 통해, 고저항 이슈를 갖는 3nm 이하 초미세공정에서도 충분한 수율을 갖는 고밀도 SRAM 설계가 가능해지게 되었다.
본 연구는 VLSI 시스템 연구실 조건희 통합과정(제 1저자)과 정성욱 교수(교신저자)가 주도하여 진행되었다.

첨부
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